3月15日，台积电创始人张忠谋在采访中说：“大陆的半导体技术落后台湾省5-6年”，同时表示“对美国的芯片政策没什么意见，甚至是支持的”。

看到张忠谋这番话，作为一名普通的中国人，还是很气愤的。

我们都知道台湾自古都是我国领土的一部分，如今台积电凭借先进的芯片制造技术嘲笑内地企业，支持美国芯片政策。这不是“亲儿子向着干爹吗？”哪有这样的道理？

事实上，台积电早在2020年9月就“遵守美国芯片禁令”停止为华为代工了，致使华为在5G、智能手机领域受到严重影响。为此华为创始人任正非直言：“打压我国芯片的不是美国人，而是我们中国人。”

当时觉得任正非说的有点过了，但如今看来还是颇有道理的。

那么问题来了，国产芯片究竟什么水平，6年差距在哪里呢？如何破解芯片难题呢？今天我们就一起来聊一聊！

与台积电的6年差距

张忠谋所说的6年差距就是指芯片制造领域，甚至可以说是中芯国际与台积电的差距。

6年前芯片制造最先进工艺是14nm，好巧不巧的是，如今中芯国际制造水平就是14nm。

看似巧合，实际上蓄谋已久。甚至可以说台积电、美国等联合将中芯国际的工艺制程钉在了14nm。

2000年，中芯国际在上海创建，创始人张汝京号称“建厂大王”，也被称为“中国芯片之父”。

张汝京出生于江苏南京，成长于台湾，台大毕业后去了美国留学，之后加入了德州仪器。

当时张忠谋已经成为了德州仪器的高管，职位差距巨大，因此二人并没有什么交集。

张汝京在德州仪器工作了20年，他的主要工作就是建厂，曾一口气在美国、日本、新加坡、意大利完成了10座半导体工厂的建设及运营，因此很多人称他为“建厂高手”。

建厂过程中他积累了丰富的经验，也逐渐成长为了芯片制造领域的专家。

1997年张汝京离开德州仪器，回到了祖国。机缘巧合之下在台湾创建了世大半导体，短短3年就做到了台湾第三，一度威胁到了台积电。

最终，台积电伙同台湾当局出资50亿美元收购了世大。收购之后，张汝京问张忠谋能否将第三家芯片工厂建在大陆，但始终得不到肯定答案。

心灰意冷的张汝京只好选择离开，甚至连股权和户口都放弃了，这是张汝京和张忠谋的第一次交战，也是大陆与台湾芯片的第一次非正规竞争。

2000年4月，中芯国际在上海浦东创建，内地真正意义上的芯片制造公司成立了。为了支持高新技术的发展，上海给予中芯国际5年免税、5年税务减半的土地优惠政策。

2002年中芯国际在日本设立了子公司，2004年在美国上市。这样的速度再次引起了台积电的警惕。

紧接着，中芯国际就接到了诉讼书：“台积电在美国加州起诉中芯国际侵犯专利权和窃取商业机密。”

2004年8月台积电再次对中芯国际发起诉讼：中芯国际侵犯了台积电三项专利，希望美动用关税法，禁止中芯国际产品进入美国。

海峡两岸芯片企业多次对垒，最终双方于2009年达成和解协议：中芯国际向台积电赔偿1.75亿美元、中芯国际创始人张汝京辞职、台积电获得中芯国际8%的股份。

这样的结果可以用“惨败”来形容，但张汝京却说：“这不是人生中的失败，不要被打趴下，中芯国际要一如既往的勇敢向前走。”

张汝京走后，中芯国际陷入了短暂的动荡时期，这期间很多工程师、高管纷纷离职。直到中投集团和国家“大基金”的介入，中芯国际才稳定下来。

2011年，向中芯国际投资2.5亿美元，占股11.6％成为第二大股东。接着2014年国家集成电路投资基金向中芯国际注资，此后中芯国际被国有控股的大唐电信和“大基金”控制。

也就是说，到了2014年中芯国际才算真正的稳定下来，这中间耽搁了5年。

那么试想一下，如果张汝京没有离开中芯国际，凭借他的能力和号召力，中芯国际的实力恐怕远不止如此吧！但哪有那么多如果呢？

止步于7nm

2017年，梁孟松加入中芯国际，中芯国际在梁孟松的带领下攻克了14nm、7nm技术，但苦于没有EUV光刻机，因此只能止步于7nm。

有网友可能要问了，没有量产7nm，怎么能说攻克7nm技术呢？

我们来看看梁孟松的实力

梁孟松，电子工程学家，电机电子工程师学会院士，曾任AMD工程师、台积电资深研发长、三星电子研发副总经理，现任中芯国际CEO。

梁孟松在加州大学读计算机博士时，他的导师就是FinFET发明人胡正明，胡正明是美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士，还曾担任过台积电的首席技术官。

梁孟松本人也有“集成电路结构的形成方法”“集成电路与其形成方法与电子组件专利”等。

在美国专利局的资料库里，梁孟松参与发明的半导体技术专利有181件，全部都是最先进、最专业、最重要先进制程的技术研发。

2003年，台积电在130nm工艺研发中击败了IBM，其中就有梁孟松的功劳，但当时梁孟松并没有受到重用，因此有了他进入三星的经历。

在三星，梁孟松并带领三星工程师在14nm节点上击败了台积电。

可以说，梁孟松无论是理论、专利技术还是实战经验都堪称“芯片大拿”。所以梁孟松所说的攻克7nm技术所言不虚。

但是，即便有了制造技术，没有EUV光刻机依然无法量产7nm芯片。

当我们满怀信心购买EUV光刻机时，却发现光刻机也被“禁运”了，哪怕是付双倍的价格也无济于事。

买不到，自己造。谈何容易啊！

EUV光刻机拥有10万个零部件，4000个轴承，3000条线缆、2公里管道，重达180吨，关键这些零部件精确度要求极高。

就拿“三大件”来说吧，EUV光源系统、光学透镜、双工作台，我国努力了十几年都无法攻破。

EUV光源系统，由Cymer（ASML收购）和德国通快提供。

首先打造一套30KW的二氧化碳激光器，发射出频率5万赫兹的激光，然后击中下落的锡滴（直径2微米），才能激发出EUV光源，其难度可想而知。

光学透镜由德国蔡司提供

透镜的平整度要求极高，相当于从上海至北京的铁轨凸起只有2cm。

这么和你说吧，普通镜子从北京拉长到上海，凸起会达到2米。EUV光学透镜的要求提高了100倍。

这还没结束，EUV光源极易被吸收，因此镜子上还需要镀有多层纳米级化合物。

双工作台由ASML掌控

双工作台的发明大大提高了光刻机的工作效率，它可以一边工作一边测量，产能提升3倍。

但两个工作台同时高速运行，还能够做到2nm的精确度，这绝对不是一件简单的事情。清华大学经过多年研发后，才将精确度控制到10nm左右，与ASML仍有差距。

三大件都如此难攻克，何况10万个精密部件呢？因此，EUV光刻机方面，我们还有很长的路要走。7nm芯片短期也很难实现量产。

自主研发才是王道

既然买不到，那就只能自主研发了。

自主研发最重要的无非是人才、资金。资金我们有了，人才却是难题。

中国人从来都是智慧的，世界上很多高科技领域都有华人的身影，按道理我国不应该缺少人才啊！但实际上却很尴尬，就像任正非说的“中国人卡自己的脖子”。

2022年12月，台积电在美国亚利桑那州举办了盛大的“移机典礼”，就连美国总统拜登都亲自参加。

移机典礼上出现了“有趣”的一幕。

这张照片有8位大佬，从左至右依次是：AMD CEO苏姿丰，英伟达创始人黄仁勋、苹果CEO库克、ASML CEO温彼得、台积电总经理魏哲家、台积电董事长刘德音、台积电创始人张忠谋。

除了库克、温彼得，其余6位均是华人，却都在庆祝台积电去美国建厂。要知道台积电在内地连一座14nm晶圆厂都没有。

此外，根据相关数据，全球最顶级的材料学家，前六位均为华人，而且有5位毕业于中国科学技术大学。他们是杨培东、殷亚东、黄喧益、夏幼南、孙玉刚、吴屹影。

更为可怕的是，有五位本科毕业于中国科学技术大学。这些人才都去了海外，为别人研发高科技，反过来制裁我们。

大名鼎鼎的英伟达创始人黄仁勋、博通CEO陈福阳、AMD CEO苏姿丰都是华人，但都在“卡我们的脖子”。

在人才方面，我们正在为别人做嫁衣裳，多么令人心痛。

未来，只要我们能够解决人才外流，让其有用武之地，就足够解决芯片、光刻机的难题了。

所以自主研发除了投入资金，制定政策外，最应该做的就是留住人才，用好人才。

写到最后

5-6年的差距，不算太大，只要我们能够解决EUV光刻机难题，完全能够逆袭台积电。到时候，恐怕台积电又会反过来求我们合作了吧！

当然，这前提是我们能够有效的进行自主研发，用我们的智慧彻底解决“卡脖子”难题。