10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。誉鸿锦首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式。

誉鸿锦半导体氮化镓半导体产业链实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3。

发布会上，氮化镓半导体产业奠基人之一的酒井士郎教授（誉鸿锦半导体总工）与观众分享氮化镓（GaN）半导体技术的历史沿革、现状发展和未来机会。誉鸿锦提出“第三代化合物半导体凭借其显著的性能特点，展示出在新能源汽车、5G通信、可再生能源等领域具有广泛的需求前景，且其器件生产工艺和技术也日趋成熟，但目前的市场普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有数量级差距”的行业现实问题。

为此誉鸿锦半导体在创立之初，就组建产业奠基人级的技术团队，其首席科学家邵春林博士为现场观众分享自己作为中国最早开展氮化镓技术研发和产业化的历史，参与开发了最早的MOCVD设备，以及参与主导了誉鸿锦半导体的规划与建设和技术创新。

在产品发布环节，誉鸿锦发布了从100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能应用于多种电力电子领域。其中包括行业首个氮化镓SBD器件，以及900V蓝宝石基氮化镓晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。凭借更好的器件良率和一致性，以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖，兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及，以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个人的生活”的产业理想。该环节也一并发布了业务和代理招商合作意向。